微电子技术是高新科技的基础，半导体产业是社会信息化和社会发展的支柱。其中，半导体存储器是可以读写、存储数字信息的一种非常重要的半导体器件，它的性能很大程度上决定着微电子技术的整体水平。根据断电后信息是否可以保存,半导体存储器可以分为易失性和非易失性两大类。近年来,随着各种电子智能产品的普及推广和不断发展,迫切需要研发更高密度、更大容量的新型非易失性存储器介质材料及器件结构。
阻变存储器是一种新型非易失性存储器，它根据不同电压下的不同电阻值实现对数据的存储。在外加电压的激励下，阻变材料在高阻和低阻两种状态之间转换，这两种阻态被定义为计算机中的“1”和“0”。
研究表明，氧化物电介质材料也可以是阻变材料。它们具有很多优点，如：与CMOS工艺兼容，既可以作为MOS结构的栅介质材料，也可以作为阻变存储器介质材料；与各种半导体衬底如硅、锗和石英等的优良附着性能；制备容易简单、优良的可重复性、非常好的热稳定性和化学稳定性等。使它们成为很有吸引力的高k栅介质候选材料，也是很优秀的RRAM阻变存储器介质材料。
本项目研究稀土氧化物的电学性质，为其在阻变存储器和高k栅介质上的应用提供理论和实验数据。
数理学院 朱燕艳